微电子技术概念股有哪些？微电子技术概念股解析

微电子技术概念股

我国科学家首次研制出新型微电子半浮栅晶体管，这标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得了重大突破，再加上年内国际巨头的争相投入，半导体投资热情不减，预计新一波的“元器件热”将顺势而出，相关个股华微电子（600360）、复旦复华（600624）、长电科技（600584）及风华高科（000636）有望获得资金的青睐。（股市有风险，投资需谨慎。文中提及个股仅供参考，不做买卖建议。）微电子重大技术突破或催生“元器件热”

近日据相关媒体报道，复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管（SFGT），采用该材料的芯片将具有高密度和低功耗的优势，该研究成果被刊发在美国《科学》杂志上。

分析人士认为，作为我国微电子领域的重大技术突破，此项科研成果有望进一步提升我国在芯片领域的话语权，但从产业链观察，和之前多项芯片技术面临的难题一样，芯片企业多由外国把持，如何把技术转化为产能是未来需要亟待解决的问题。

鱼和熊掌兼得

传统意义上的电脑和智能手机的芯片均是由晶体管组成，目前晶体管的材料主要有MOS晶体管和浮栅晶体管两种，两种材料可谓各有千秋。

MOS晶体管适合完成高速运算，但运算时温度极高，且一断电所有的运算数据将全部丢失；浮栅晶体管的结构域MOS相比多了一层多晶硅材料（浮栅层），浮栅晶体管运算速度比MOS要低不少，但其优势在于断电后数据仍可以保存。业内人士表示，目前需要大量运算但对运算要求较高的如CPU和GPU领域多使用 MOS晶体管，但结果是必要配备电扇以降温，否则元器件极易损坏，而内存、闪存和固态硬盘等对数据存储和温度存在硬性要求的产品多使用浮栅晶体管。

此次复旦大学的科研成果，有望终结芯片领域鱼和熊掌不可兼得的现状，使用半浮栅晶体管芯片的速度将有提升，根据科研负责人的说法，使用半浮栅晶体管的芯片运算速度将在浮栅晶体管的芯片的1000倍左右；而使用半浮栅晶体管结构的CPU其缓存面积将缩小9成；用在内存中运算速度将提高到1至2倍。从结构上看，半浮栅晶体管结构与浮栅晶体管相比多了一层隧穿晶体管来控制电流，这将节省到诸如电容等零部件给拘泥于方寸之间芯片设计带来更多的宝贵空间。

8月9日，美国《科学》杂志率先刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，分析人士认为，芯片上游领域作为一个极为尖端的高科技领域，取得如此的突破性实属难能可贵，这将提升中国在全球芯片行业的话语权。

产业化路仍较长

就市场来看，据估算，目前CPU、内存、数码相机感光器件的芯片的市场规模就在千亿美元左右。在复旦大学公布此项重大科研成果后，业内人士对产业化问题颇为关心，但从目前的情况来看，由于上游多属于外国企业，半浮栅晶体管芯片恐仍有较长的道路要走。据了解，复旦大学目前已对此技术申请了核心技术专利，但后期的应用设计工作仍需要企业来完成。

据中证报报道，目前全球芯片市场主要被外国垄断，如Intel、高通、ARM等外国企业占据了芯片市场的大部分芯片市场份额。分析人士认为，如何将此项由中国自主掌握的尖端技术做好相应配套，由技术转化为实际产能仍需要产业链下游积极配合，但从目前来看，我国在此中游领域与国外相比较为薄弱，短期内产业化将面临较大的不确定性。（证券时报网）

微电子罕见成就或催生“元器件热”

今年以来，“电子热”此起彼伏，各类技术创新更成为个股股价爆发的催化剂。

近日据相关媒体报道，复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管（SFGT），该研究成果被刊发在美国《科学》杂志上。分析人士表示，这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得了重大突破。预计此次微电子的罕见成就将催生新一波的“元器件热”，相关个股华微电子（600360）、复旦复华（600624）、长电科技（600584）及风华高科（000636）有望获得资金青睐。

微电子罕见成就意义重大

据相关媒体报道，复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管（SFGT）。8月9日，美国《科学》杂志刊发了该研究成果，这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。

据介绍，金属—氧化物—半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前集成电路中最基本的器件，而常用的U盘等闪存器件多采用另一种被称为浮栅晶体管的器件。此次研究人员把一个隧穿场效应晶体管（TFET）和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的“半浮栅”结构器件，称为半浮栅晶体管。它具有高密度和低功耗的明显优势，可取代一部分静态随机存储器（SRAM），并应用于动态随机存储器（DRAM）领域以及主动式图像传感器芯片（APS）领域。

据复旦大学微电子学院张卫介绍道，作为一种基础电子器件，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模超过300亿美元。它的成功研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。

而不同于实验室研究的基于碳纳米管、石墨烯等新材料的晶体管，半浮栅晶体管是一种基于标准硅CMOS工艺的微电子器件。张卫表示，半浮栅晶体管兼容现有主流集成电路制造工艺，具有很好的产业化基础；不过，拥有核心专利并不等于拥有未来的广阔市场。尽管半浮栅晶体管应用市场广阔，但前提是对核心专利进行优化布局。

国际巨头加大支出 半导体消费规模创新高

据海外媒体报道，尽管全球芯片销量去年出现了下滑，但今年全球半导体市场有望因国际大电子品牌商的加大支出而实现复苏；其中，苹果和三星将会角逐成为今年半导体市场上最大的消费者。

今年以来，设备厂商们对半导体领域的投资热情十分高涨。据市场调查机构IHS的估计，今年全球主要设备生产商的半导体市场开支有望增长至2652亿美元，较去年的2544亿美元，同比增长4.2%。更为重要的是，2013年的半导体市场消费规模将达到过去六年来的最高水平。

业已成为全球PC货量最大的中国市场，目前在与全球PC相关的芯片支出方面仍占有举足轻重的比重。据市场调查机构IDC估计，全球芯片产业在今年仍有望实现较低的个位数增长，增长主要是来自于移动领域，其中苹果和三星为该领域的统治者。据IHS的数据显示，仅无线通讯板块今年就占据了半导体市场26%的份额，即大约620亿美元的份额。该板块在2013年也是增长最快的一个市场，全年预期增幅达12.8%。

据悉，苹果和三星是今年半导体市场上支出规模最高的两家公司，排在它们之后的一些厂商包括有惠普、联想、索尼、戴尔、思科、松下、东芝以及华硕电脑。当中部分厂商既为芯片生产商身份，也同时为芯片供应商，还有部分厂商在芯片支出方面保持着增长，也有部分厂商出现了下滑。

我国科学家首次研制出新型微电子半浮栅晶体管，这标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得了重大突破，再加上年内国际巨头的争相投入，半导体投资热情不减，预计新一波的“元器件热”将顺势而出，相关个股华微电子（600360）、复旦复华（600624）、长电科技（600584）及风华高科（000636）有望获得资金的青睐。（证券时报网）

华微电子（600360）：公司自2007年起开始进行“新型电力电子器件MOSFET产品技术研发项目”，取得了一项发明专利（“一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺”，）和两项实用新型专利（“采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件”，“一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件”），从而形成了一套完整、成熟的MOS制造技术和工艺体系，目前已开发出200V、400V、500V、600V系列产品，并已在公司现有48万片六英寸生产线上实现了批量化生产。

华微电子：业绩预告符合预期，募投项目成亮点

研究机构：山西证券撰写日期：2013年07月17日

事件追踪：

7月17日，公司发布2013年半年度业绩预告，公司预计2013年上半年归属于上市公司股东的净利润较上年同期增长约40%-60%，盈利2599.50万元至2970.86万元。

分析：

半导体行业逐步回暖，下游需求回升。今年上半年，半导体行业逐步回暖。根据SIA公布的最新数据显示，5月份全球芯片销售额达到了247亿美元，比此前一个月的236.2亿美元环比增长了4.6%，比2012年5月份的244亿美元同比增长了1.3%，创下这一行业自2010年3月份以来最大的环比增幅。其中，亚太地区仍然是半导体行业增长的最大引擎。按地区划分，5 月份亚太地区的芯片销售额比4 月份环比增长5.9%，较去年同期相比增长5.8%。充分显示亚太地区强劲的市场需求。

公司加强结构调整，募投项目成亮点。上半年，公司通过结构调整不断加大中高端产品比例，毛利率水平从去年年底的22.66%回升至1季度的25.43%。公司产能利用率稳步提升，尤其是公司六英寸生产线VDMOS等中高端产品产销量取得了一定的增长，带动公司上半年整体销售收入较上年同期大幅增加。公司在调结构的同时，通过研发和引进新项目，不断进入新领域和开发新客户，从而进一步拓宽和延伸公司产品生产线。公司目前已成为国内最大的半导体分立器件制造基地之一。

盈利预测与投资建议：

功率半导体是应用最广阔的电子元器件之一，亚太地区是全球半导体行业增长引擎，行业回暖趋势明显。公司是国内半导体行业龙头，通过调整产品结构，目前公司产能利用率逐步上升，中高端产品比例不断加大，毛利率显著回升。考虑到公司技术及研发优势，加上行业继续回暖的预期以及公司经营管理的日益成熟，预计公司业绩仍将快速增长。首次给予公司“增持”投资评级。

长电科技（600584）：经国家发改委批准，以国内集成电路封测领军企业江苏长电科技股份公司为依托，联合中科院微电子研究所、清华大学微电子所、深圳微电子所、深南电路有限公司等五家单位共同组建的我国第一家“高密度集成电路封装技术国家工程实（财苑）验室”于2009年6月21日在江阴的长电科技成立，这标志着国家重点扶持的集成电路封装技术产学研相结合的工程实验平台正式启动。公司目前的主要产品为Trench-Mosfet、Sj-Mosfet、IGBT等电力电子器件和变频器件的芯片设计，在国内具备领先优势，事实上此前公司对片式功率器件封装生产线技改扩能的项目也是主要针对MOSFET。

长电科技：Bumping加FC是未来竞争力所在

研究机构：兴业证券撰写日期：2013年08月05日

投资要点

近期调研了长电科技，与公司高管进行了深入的沟通。公司基本情况及观点如下：

2012年业绩低谷，今年反转可见：2012年公司实现总营收44.36亿元，增长17.9%，实现归属上市公司股东净利润1041万元，同比下滑84.5%，EPS=0.01元。搬厂因素及新产品大量研发投入致使营业利润亏损。搬迁影响预计到今年Q4消除，新产品开发日渐成效，并进入导入期。同时，半导体行业整体进入上升周期，景气复苏明确，公司今年业绩反转可见。

长电长期增长三大逻辑：1）公司自身封装技术升级，加之国家大力扶持国内IC设计厂商启用国内封测，国内IC设计转单国内供应商。2）随着移动终端在低价市场的爆发，国内IC设计崛起。3）封测产业向国内转移趋势明显。

基板事业部是今年增长主力贡献：基板事业部包括BGA（基带芯片、处理器）、LGA（射频模块）、MEMS/sensorIC、smartIC等高端封装产品，是公司今年及未来增长主力。政策层面上国家大力扶持国内封测，鼓励国内IC设计采用本土封测，公司自身技术也向高端制程升级，且较台湾大厂有价格优势，展讯、海思、联芯、锐迪科、瑞芯微等国内IC大厂已经将订单转向长电，产业转移的趋势明确。本质上公司是受益于中低端移动终端爆发，凭借向高端封装制程升级，伴随国内IC设计厂商崛起而成长。其基板事业部去年初营收仅800万/月，当前成长为7000万/月，增长迅猛。预计此块业务今年营收贡献7-8亿，明年12亿左右。

FCBGA是未来方向：与传统wirebondingBGA（引线键合封装）相比，FCBGA（倒装封装）的优势在于：1）解决了电磁兼容（EMC）与电磁干扰（EMI）问题。而传统wirebond有阻抗效应。2）可提高I/O的密度。相较于传统封装形式面积缩小30%至60%。3）散热更好，大幅提高芯片在高速运行时的稳定性。FCBGA尤其适合高脚位芯片的封装，是移动终端轻薄化趋势下的技术方向。

Bumping FC一条龙是公司优势：bumping作为中段产业，介于foundry和封测环节之间。目前从事bumping生产的有两类企业：一类是foundry厂，如中芯国际，一类是封测厂，如Amkor。长电科技是国内唯一具备bumping和FC生产能力的厂商，有一站式优势。当前bumping到了爆发期，公司的bumping产能供不应求，扩产在即。后道FC产能也是明年扩产重点。未来公司将凭借bumping FC的一条龙服务，大力发展FCBGA，盈利水平将较现有的wirebondingBGA进一步提升。

摄像头模组已经量产，前景可观：2011年与东芝合资成立新晟电子（长电70%，东芝30%），结合了长电在镜头封装，与东芝在图像传感器、光学测试方面的优势。摄像头模组市场前景广阔，仅手机用摄像头2013年预计达到14亿颗，至2015年达到16亿颗，另外，车装摄像头也是一个巨大的下游市场。公司当前产能80-100万/月，不断扩产中。预计今年营收1-2亿，明年5亿左右。

盈利预测及投资评级：

受益于中低端移动终端爆发，凭借向高端封装制程升级，伴随国内IC设计厂商崛起而成长，公司长期成长逻辑确立。BGA是今年主要增长点，FCBGA是未来方向，bumping FC一条龙是公司优势。今年将体现出较大的业绩弹性，由于搬厂、高端产能逐步释放以及季节性因素，预计主要集中在下半年爆发。维持公司2013-2015年EPS分别为0.15、0.28、0.38元的盈利预测，重申“增持”评级。

复旦复华（600624）：公司是复旦大学控股的上市公司，依托复旦大学雄厚的科研、技术、人才优势，成功确立了以软件开发、生物医药、园区房产为核心的科技产业体系，目前已拥有中国重要的对日软件出口平台，具有科技创新能力的药品研发、生产、营销基地，以及广纳国内外高新技术企业的国家级高新技术园区。此次复旦大学教授在微电子上的突出成就虽然跟公司没有直接关系，但今年复旦大学持续在人脑水锂电池等行业上获得突出研究能力，因而正面效应依然存在。

风华高科（000636）：公司是目前国内片式元器件规模最大、元件产品系列配套最齐全的具备国际竞争力的电子元件企业，是MLCC及片式电阻器全球十大企业之一。公司研制、生产和销售系列新型片式元器件，2011年更是对半导体高压功率MOSFET生产技术线进行了改造。